|
Ürün ayrıntıları:
|
| Malzeme: | Gadolinyum Galyum Garnet (GGG) tek kristal | büyüme yöntemi: | Czochralski yöntemi |
|---|---|---|---|
| Erime noktası （℃）: | 1800 ℃ | Sertlik: | 6-7 (Mohs) |
| Oryantasyon: | <111>, <100>, <110> | Tipik Boyut (mm): | 5x5, 10x10, 15x15, 20x20, Φ25.4, Φ50.8 |
| Tipik kalınlık (mm): | 0,5 mm, 1,0 mm | yüzey: | SSP (tek yüzey cilalı) veya DSP (çift yüzey cilalı) |
| pürüzlülük: | Ra <0.5nM | ||
| Vurgulamak: | JOPTEC GGG Wafers And Substrates,Garnet GGG Wafers And Substrates,infrared optical isolator GGG substrate |
||
Gadolinyum Galyum Garnet (GGG) tek kristaliyi optik, mekanik ve termal özelliklere sahip, çeşitli optik bileşenlerin imalatının yanı sıra manyeto optik filmler ve yüksek sıcaklıklı süper iletkenler için substrat malzemesinde kullanım için umut verici kılan bir malzemedir.Gadolinyum Galyum Garnet (GGG) substrat artı çift kırılma parçaları üzerinde YIG veya BIG filmden yapılmış kızılötesi optik izolatör (1.3 ve 1.5 um) için kullanılabilir.GGG kristali mikrodalga izolatörleri için önemli bir substrattır ve lazer teknolojisi, telekomünikasyon, elektronik için HTS malzemesi olarak kullanılabilir.
|
Ana kapasite parametresi
|
|
|
Kristal yapı
|
M3
|
|
Büyüme yöntemi
|
Czochralski yöntemi
|
|
Birim hücre sabiti
|
a = 12.376Å, (Z = 8)
|
|
Erime noktası (℃)
|
1800
|
|
Saflık
|
% 99,95
|
|
Yoğunluk
|
7.09
|
|
Sertlik
|
6-7 (Mohs)
|
|
Kırılma indisi
|
1.95
|
|
Boyut
|
10x3, 5x5, 10x5, 10x10, 15x15, 20x15, 20x20,
|
|
.425,4, Φ50,8, dia2 ”x 0,33 mm dia2” x 0,43 mm
|
|
|
Kalınlık
|
0.5mm, 1.0mm
|
|
Parlatma
|
Tek mi çift mi
|
|
Kristal Yönü
|
<111> ± 0.5º
|
|
yönlendirme hassasiyeti
|
± 0.5 °
|
|
Kenarın yönlendirilmesi:
|
2 ° (1 ° 'de özel)
|
|
Kristalin açısı
|
Özel boyut ve yönlendirme istek üzerine temin edilebilir
|
|
Ra:
|
≤5Å (5 um x 5 um)
|
|
paket
|
100 temiz çanta, 1000 tam temiz çanta
|
İlgili kişi: JACK HAN
Tel: 86-18655618388
